Lo sviluppo di sorgenti elettroniche ultraveloci ha reso possibile lo studio delle dinamiche elettroniche per mezzo di una tecnica nota come Microscopia Elettronica Ultraveloce a Scansione (Ultrafast Scanning Electron Microscopy, USEM), che combina la risoluzione spaziale di un Microscopio Elettronico (EM) con la risoluzione temporale tipica delle configurazioni pump-probe ottiche ultraveloci: il campione è eccitato da due impulsi ultrabrevi, uno ottico e uno elettronico, e l'emissione degli elettroni secondari dal campione è misurata in funzione del ritardo tra i due impulsi. La profondità di fuga nanometrica della sonda elettronica consente di investigare le dinamiche di superfici e interfacce dei moderni dispositivi, dove le applicazioni si basano sul ruolo giocato da semiconduttori e isolanti.
Durante il periodo di tesi lo studente contribuirà alle misure di imaging e analisi spettroscopica risolta in tempo, lavorando con concetti ultraveloci e nanoscopici, da applicarsi principalmente allo studio dell'elettronica organica ed inorganica, così come di campioni isolanti (applicato da noi per la prima volta in letteratura, si veda Ultramicoscopy 187, 93-97 (2018) Zani et al.) e semiconduttori.
La tesi si svolgerà in collaborazione con il Centro di Nano Scienze e della Tecnologia (CNST) dell'Istituto Italiano di Tecnologia (IIT).