In questa tecnica un fascio elettronico focalizzato viene fatto incidere su una sostanza (resist) sensibile all’irragiamento. Le regioni di superficie esposte divengono quindi più facilmente (resist positivo) o più difficilmente (resist negativo) attaccabili dalla soluzione di sviluppo. La lunghezza d’onda degli elettroni utilizzati rende trascurabili gli effetti diffrattivi e permette di “disegnare” strutture della dimensione di ~10nm.
Nel nostro laboratorio la e-beam lithography viene utilizzata, congiuntamente alla tecnica RIE (Reactive Ion Etching), sia per la fabbricazione di dispositivi nanometrici (strutture di tipo split-gate su quantum well), sia per la preparazione dei substrati prima della crescita epitassiale in modo da creare dei siti preferenziali per la nucleazione di quantum dot.
Presso il laboratorio sono installati un microscopio a scansione elettronica Philips XL30 SFEG ed un sistema Raith Elphy Quantum per litografia e-beam.

Fig. 1. Our EBL system. Parts: 1. Column 2. Specimen chamber 3. Secondary electron detector 4. Scanservice final aperture with integrated beam blanker 5. CCD camera 6. High tension valve 7. Liquid N2 tank (for X-ray detector) 8. Keithley pico-ammeter (to measure beam current) 9. Beam blanker power supply 10. Vacuum pumps and high tension circuitry 11. Electronics (printed circuits boards) 12. Power supply 13. Lithography PC (Raith Elphy Quantum) 14. SEM PC with integrated X-ray analyzer.